三星Flashbolt高帶寬內(nèi)存最新資訊介紹：

在英偉達(dá)的GTC 2019大會(huì)上，三星發(fā)布了新的Flashbolt高帶寬內(nèi)存（HBM），據(jù)稱是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品。 文章源自網(wǎng)吧系統(tǒng)維護(hù)-http://www.strong-digital.cn/5146.html

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IT之家獲悉，新一代產(chǎn)品將每個(gè)針腳的帶寬提高33%——從2.4Gbps提高到3.2Gbps;此外，每個(gè)芯片的容量也翻了一倍，達(dá)到16Gb。據(jù)此，1024位總線的Flashbolt封裝，可以在8-Hi堆棧配置中提供高達(dá)410GB/s的帶寬和16GB的容量。 文章源自網(wǎng)吧系統(tǒng)維護(hù)-http://www.strong-digital.cn/5146.html

三星的目標(biāo)是將這些產(chǎn)品用在下一代數(shù)據(jù)中心、AI/ML（人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)）和圖形應(yīng)用程序上。 文章源自網(wǎng)吧系統(tǒng)維護(hù)-http://www.strong-digital.cn/5146.html

目前三星尚未宣布HBM2E產(chǎn)品量產(chǎn)計(jì)劃，但是Flashbolt未來(lái)有望進(jìn)入下一代7nm GPU。 文章源自網(wǎng)吧系統(tǒng)維護(hù)-http://www.strong-digital.cn/5146.html

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